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IRF7404QTRPBF-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:13A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7404QTRPBF-VB
- 商品编号
- C7494561
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；40mΩ@1.8V；21mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV RMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 有无铅（Pb）版本
- P沟道MOSFET