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IRFS4115PBF-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:128A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于多种应用场合。TO263；N—Channel沟道,140V；100A；RDS(ON)=10.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFS4115PBF-VB
- 商品编号
- C7494543
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.237克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V；8.4mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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