FDP150N10A_F102-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。TO220;N—Channel沟道,100V;100A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDP150N10A_F102-VB
- 商品编号
- C7494546
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.743克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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