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FDP150N10A_F102-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDP150N10A_F102-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:100A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。TO220;N—Channel沟道,100V;100A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
商品型号
FDP150N10A_F102-VB
商品编号
C7494546
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.743克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
属性参数值
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))-