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AUIRFR4615TR-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

AUIRFR4615TR-VB

1个N沟道 耐压:150V 电流:35.5A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型的Trench技术MOSFET，适用于电源管理、医疗设备、消费电子等领域。TO252；N—Channel沟道,150V；40A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AUIRFR4615TR-VB
商品编号
C7494544
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)35.5A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V；45mΩ@8V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.735nF@50V
反向传输电容(Crss)37pF@50V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF

数据手册PDF

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