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Si1024X-T1-GE3-VB
2个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench技术，由于其小封装和低漏极电流特性，适用于轻载和低功率应用场景。SC75-6；2个N—Channel沟道,20V；0.6A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- Si1024X-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7494542
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V；420mΩ@1.8V；350mΩ@2.5V；500mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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