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FDMS3604S-VB实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FDMS3604S-VB

2个N沟道耐压:30V 电流:60A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: FDMS3604S-VB
商品编号: C7494528
商品封装: DFN5x6-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.149克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	60A
	导通电阻(RDS(on))	3.4mΩ@10V；4.3mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	56W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

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