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FDMS3604S-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDMS3604S-VB
- 商品编号
- C7494528
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V；4.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 257pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%经过UIS测试
- 100%经过Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 智能手机、平板电脑-直流-直流转换器-升压转换器-负载开关、过压保护开关
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