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FDMC4435BZ-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDMC4435BZ-VB
- 商品编号
- C7494535
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 322pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
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