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IRF9410TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF9410TRPBF-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:13A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF9410TRPBF-VB
商品编号
C7494538
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.132克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V；11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.2W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)800pF
反向传输电容(Crss)73pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)165pF

数据手册PDF

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