BSS139-VB

1个N沟道 耐压:200V 电流:0.6A

描述

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道功率MOSFET。采用Trench技术制造。该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，设计用于小电流和高压应用，适用于各种低功耗电子设备和模块。SOT23；N—Channel沟道,200V；0.6A；RDS(ON)=1400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

BSS139-VB

商品编号

C7494531

商品封装

SOT-23(TO-236)​

包装方式

编带

商品毛重

0.0256克(g)