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SI4442DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4442DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C7494529
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心
- 高端开关
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