温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4442DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4442DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C7494529
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出漏电流
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
相似推荐
其他推荐
- TN2404K-T1-E3-VB
- BSS139-VB
- AO4884&30V-VB
- AUIRLR3105TRLPBF-VB
- DMN3112SSS-13-VB
- FDMC4435BZ-VB
- FDMS8018-VB
- FDN352AP-NL-VB
- IRF9410TRPBF-VB
- SM2303PSA-VB
- STD3NK50ZT4-VB
- SUD50N10-18P-E3-VB
- Si1024X-T1-GE3-VB
- IRFS4115PBF-VB
- AUIRFR4615TR-VB
- CSD17308Q3-VB
- FDP150N10A_F102-VB
- IRFR3910TRLPBF-VB
- IRLU2905PBF&15-VB
- IPD048N06L3 G-VB
- 2N08L50-VB