温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP3310GH-HF-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:38A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP3310GH-HF-VB
- 商品编号
- C7494525
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V；46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V；19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
相似推荐
其他推荐
- SI4946DY-T1-E3-VB
- SSM4920M-VB
- FDMS3604S-VB
- SI4442DY-T1-E3-VB
- TN2404K-T1-E3-VB
- BSS139-VB
- AO4884&30V-VB
- AUIRLR3105TRLPBF-VB
- DMN3112SSS-13-VB
- FDMC4435BZ-VB
- FDMS8018-VB
- FDN352AP-NL-VB
- IRF9410TRPBF-VB
- SM2303PSA-VB
- STD3NK50ZT4-VB
- SUD50N10-18P-E3-VB
- Si1024X-T1-GE3-VB
- IRFS4115PBF-VB
- AUIRFR4615TR-VB
- CSD17308Q3-VB
- FDP150N10A_F102-VB