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BSS138BKW
N沟道MOSFET,电流:300mA,耐压:55V
- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：313mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,300mA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS138BKW
- 商品编号
- C7379950
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 二极管正向电压低：VDSF = -1.35 V（典型值）
- 高电压：VDSS = 650 V
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 27 mΩ（典型值）
- 由于阈值电压高，不易发生故障：Vth = 3.0 至 5.0 V（VDS = 10 V，ID = 3 mA）
- 增强型模式
应用领域
- 开关稳压器