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MS10N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：347W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115Ω@10V,10A
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS10N10
- 商品编号
- C7379963
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 100V、12A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 115mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保型器件可供选择
应用领域
-网络-负载开关-LED应用