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DMG2302UK-7-MS
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A
- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35Ω@4.5V,3A
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- DMG2302UK-7-MS
- 商品编号
- C7379996
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 623nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这是一款单P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，具有出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电阻。其高达-30V的工作电压非常适合用于开关模式电源、SMPS、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 3.2A
- 当栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 45mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 57mΩ
应用领域
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
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