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DMG2305UX-7-MS
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,4A
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- DMG2305UX-7-MS
- 商品编号
- C7379997
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -4A
- 栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 45mΩ
- 栅源电压(VGS) = -2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 63mΩ
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护
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