BSS84-7-MS
1个P沟道 耐压:55V 电流:0.3A
- 描述
- MOS管 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,300mA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS84-7-MS
- 商品编号
- C7379994
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 30.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- -55 V、-0.3A,VGS = -10V 时 RDS(ON) = 4.0Ω
- 改善的 dv/dt 能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 静电放电保护高达 2KV
应用领域
-笔记本电脑-负载开关-电池保护
