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MS35N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23Ω@10V,10A
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS35N06
- 商品编号
- C7379969
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45488克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 60V、35A,RDS(ON)=23mΩ(@VGS=10V)
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED照明