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L2N7002DW1T1G-MS
2个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 描述
- MOS管 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- L2N7002DW1T1G-MS
- 商品编号
- C7379954
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.5pF |
商品特性
- 55V、300mA，VGS = 10V 时 RDS(ON) = 1.2Ω
- 改善的 dv/dt 能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 电池保护
- 手持仪器