温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS138W-TP-MS
1个N沟道 耐压:55V 电流:300mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：313mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,300mA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS138W-TP-MS
- 商品编号
- C7379948
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
μPA2814T1S是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为便携式设备的DC/DC转换器和电源管理应用而设计。
商品特性
- 漏源极电压（VDSS） = -30 V（环境温度TA = 25°C）
- 低导通电阻
- 导通电阻（RDS(on)） = 最大7.8 mΩ（栅源电压VGS = -10 V，漏极电流ID = -24 A）
- 支持4.5 V栅极驱动
- 带散热片的小型薄型表面贴装封装
- 无铅无卤