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SIR800ADP-T1-RE3
20V 50.2A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd / Qgs比率，降低与开关相关的功率损耗。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR800ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C7363873
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.415nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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