- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQM50034EL_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM50034EL_GE3
- 商品编号
- C7364402
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
- SQS482EN-T1_BE3
- SMM-122-02-S-D-LC-TR
- SQMW515RJ
- SMM-122-02-S-S
- SMM-123-02-F-S
- SMM-123-02-L-D-LC
- SMM-124-02-S-D-P-TR
- SQT-102-01-F-T-RA
- SQT-102-03-F-S
- SMM-125-01-H-D
- SQT-103-01-F-S
- SMM-125-01-S-D-P
- SQT-103-01-L-D-RA-006
- SMM-125-02-L-D-K
- SQT-103-01-LM-S
- SMM-125-02-S-D-LC-P
- SQT-103-02-LM-D
- SMM-125-02-S-S
- SQT-103-03-F-D
- SMM-125-02-SM-D-K-TR
- SQT-104-01-L-Q