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SQD25N06-22L_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
- 描述
- 特性：采用TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。 100%进行Rg和UIS测试。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD25N06-22L_GE3
- 商品编号
- C7364374
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.644克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.975nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 382pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
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- SMM-120-01-L-S
- SMM-120-01-S-D-30
- SMM-120-01-S-D-P
- SMM-120-02-F-S-K-TR
- SMM-120-02-S-D
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- SMM-120-02-S-S-P-TR
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