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SQD40131EL_GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:31A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。 100%进行Rg和UIS测试。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD40131EL_GE3
- 商品编号
- C7364375
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.463333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品系列基于晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）技术，该技术采用焊球工艺，无需外部封装来包裹硅芯片。MICRO FOOT产品包括功率MOSFET、模拟开关和功率IC。 对于电池供电的紧凑型设备，这种新的封装技术减少了电路板空间需求，提高了热性能，并减轻了有引脚封装产品常见的寄生效应。 Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品可以采用与大批量组装表面贴装器件相同的工艺技术进行处理。只要适当注意PCB和模板设计，该器件无需底部填充即可实现可靠性能。该器件占用空间小且热路径短的优势使其成为便携式设备（如电池组、个人数字助理、手机和笔记本电脑）等空间受限应用的理想选择。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 负载开关-电池开关-充电器开关-功率放大器开关