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SQJ457EP-T1_BE3
汽车用P沟道60V（D-S）175°C MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ457EP-T1_BE3
- 商品编号
- C7364386
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品特性
- trenchesFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET
应用领域
- 同步整流
- DC/DC转换器
- LED控制
- 高频开关