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SISH615ADN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:22.1A
- 描述
- 特性：TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器开关。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH615ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C7363886
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5.59nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |