- 引脚图
- 焊盘图
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SQD10950E_GE3
1个N沟道 耐压:250V 电流:11.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，低热阻。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101合格
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD10950E_GE3
- 商品编号
- C7364373
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 162mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 308pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
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