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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比,可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块(VRM)和嵌入式DC/DC
- 同步降压转换器
- 负载开关
- 电池管理