- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISH110DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:13.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH110DN-T1-GE3
- 商品编号
- C7363880
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 第二代沟槽式场效应晶体管(TrenchFET Gen II)功率MOSFET
- 针对脉宽调制(PWM)优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压
- SISH114ADN-T1-GE3
- SISH615ADN-T1-GE3
- SISHA06DN-T1-GE3
- SISS10DN-T1-GE3
- SMF4L8.5CA-7
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- SMGSD-12
- SMH100-LPPE-D02-ST-BK
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