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SIS322DNT-T1-GE3引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIS322DNT-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:38.3A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 厚度0.75mm。应用：开关模式电源。 个人电脑和服务器
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIS322DNT-T1-GE3
商品编号
C7363878
商品封装
PowerPAK1212-8S​
包装方式
编带
商品毛重
0.111835克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)38.3A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)19.8W；3.2W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21.5nC@10V
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)287pF

商品特性

  • TrenchFET第四代功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 超薄设计,高度仅0.75 mm
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 开关模式电源
  • 个人计算机和服务器
  • 电信模块电源
  • 电压调节模块(VRM)和负载点电源(POL)

数据手册PDF

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