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SIS322DNT-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:38.3A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 厚度0.75mm。应用：开关模式电源。 个人电脑和服务器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS322DNT-T1-GE3
- 商品编号
- C7363878
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 19.8W；3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 287pF |
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