SIHP38N60EF-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP38N60EF-GE3
- 商品编号
- C7363767
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 313W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 189nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.576nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 第二代沟槽式场效应晶体管（TrenchFET Gen II）功率MOSFET
- 针对脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压
相似推荐
其他推荐
- SIHP6N65E-GE3
- SIHU6N62E-GE3
- SIHW33N60E-GE3
- SIR512DP-T1-RE3
- SIR800ADP-T1-RE3
- SIR804DP-T1-GE3
- SIS322DNT-T1-GE3
- SISH110DN-T1-GE3
- SISH615ADN-T1-GE3
- SISHA06DN-T1-GE3
- SISS10DN-T1-GE3
- SQ3418EV-T1_BE3
- SQA604CEJW-T1_GE3
- SQD10950E_GE3
- SQD25N06-22L_GE3
- SQD40131EL_GE3
- SQD50034E_GE3
- SQJ403BEEP-T1_GE3
- SQJ407EP-T1_BE3
- SQJ457EP-T1_BE3
- SQJ481EP-T1_GE3