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FDV303N
1个N沟道 耐压:25V 电流:680mA
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- 描述
- N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V；FDV301N的大电流版本
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDV303N
- 商品编号
- C80498
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 25 V,0.68 A连续电流,2 A峰值电流。RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS = 2.7 V
- 极低的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接工作。VGS(th) < 1 V
- 具有用于增强静电放电(ESD)耐受性的栅源齐纳二极管。人体模型>6kV
- 采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装。
- 可替代TN0200T和TN0201T。
应用领域
-初级侧开关-单端功率开关-N 沟道 MOSFET