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NTMS4807NR2G
1个N沟道 耐压:30V 电流:14.8A
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- 描述
- N沟道，30V，14.8A，6.1mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS4807NR2G
- 商品编号
- C80851
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V,14.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 860mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.9nF@24V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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