BSS138LT1G
1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS138LT1G
- 商品编号
- C82045
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6Ω@2.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss） | 50V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 50pF @ 25V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.5 欧姆 @ 200mA，5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
--数据手册预览--
--官网介绍--
Typical applications are dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
特性
ON官网链接：https://www.onsemi.cn/PowerSolutions/product.do?id=BSS138L
优惠活动
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