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MMBTA92LT1G
PNP 电流:500mA 电压:300V
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- 描述
- 此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBTA92LT1G
- 商品编号
- C82049
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 25@1.0mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 250nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 晶体管类型 | PNP |
|---|---|
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 300V |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 250nA（ICBO） |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 25 @ 30mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
--官网介绍--
This High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-23 package, which is designed for low power surface mount applications.
特性
ON官网链接：https://www.onsemi.cn/PowerSolutions/product.do?id=MMBTA92L
优惠活动
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