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NTR4501NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4501NT1G
- 商品编号
- C85416
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@2.5V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 领先的平面技术，实现低栅极电荷/快速开关
- 额定电压2.5 V，适用于低电压栅极驱动
- SOT - 23表面贴装，占用空间小
- 采用NVR前缀，适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关-计算设备的负载/电源开关-DC-DC转换