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FDD86381_F085
耐压:80V 电流:25A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on) = 16.2mΩ，VGS = 10V，ID = 25A。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 14nC，VGS = 10V，ID = 25A。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86381_F085
- 商品编号
- C88401
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 866pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 25 A 条件下,典型 RDS(on) = 16.2 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 25 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 14 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向
- 集成式启动发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 12V 系统主开关
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