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FDD86381_F085

耐压:80V 电流:25A

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描述
特性:典型导通电阻RDS(on) = 16.2mΩ,VGS = 10V,ID = 25A。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 14nC,VGS = 10V,ID = 25A。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。应用:汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD86381_F085
商品编号
C88401
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
2.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)48.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)866pF@40V
反向传输电容(Crss)7pF@40V
工作温度-55℃~+175℃

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