FDD86381_F085
耐压:80V 电流:25A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:典型导通电阻RDS(on) = 16.2mΩ,VGS = 10V,ID = 25A。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 14nC,VGS = 10V,ID = 25A。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。应用:汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86381_F085
- 商品编号
- C88401
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 48.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 866pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交8单
相似推荐
其他推荐
