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FDS4465
1个P沟道 耐压:20V 电流:13.5A
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- 描述
- 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (1.8V – 8V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4465
- 商品编号
- C92137
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.237nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款指定为1.8 V的P沟道MOSFET是安森美半导体先进的POWERTRENCH工艺的耐用栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（1.8 V - 8 V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 13.5 A，-20 V
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 8.5 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 当VGS = -1.8 V时，RDS(ON) = 14 mΩ
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高电流和功率处理能力
应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护