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FDS6680A
1个N沟道 耐压:30V 电流:12.5A
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- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6680A
- 商品编号
- C87668
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 12.5 A、30 V，VGS = 10 V时，RDS(ON) = 9.5 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 13 mΩ
- 超低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力