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FDC6327C
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 此类 N 和 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6327C
- 商品编号
- C83567
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@4.5V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些指定为 2.5V 的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 采用仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计，适用于使用更大、更昂贵的 SO - 8 和 TSSOP - 8 封装不切实际的应用场景。
商品特性
- N 沟道 2.7A、20V。在 VGS = 4.5V 时，RDS(on) = 0.08Ω
- 在 VGS = 2.5V 时，RDS(on) = 0.12Ω
- P 沟道 -1.6A、 - 20V。在 VGS = - 4.5V 时，RDS(on) = 0.17Ω
- 在 VGS = - 2.5V 时，RDS(on) = 0.25Ω
- 开关速度快。
- 栅极电荷低。
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)。
- SuperSOT - 6 封装：占位面积小（比 SO - 8 小 72%）；厚度薄（1mm）。
应用领域
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- 电机驱动