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FDC654P
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
- 描述
- 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC654P
- 商品编号
- C81608
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 298pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -3.6 A,-30 V。在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 75 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 125 mΩ
- 低栅极电荷(典型值为6.2 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护