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LP3401LT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
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- 描述
- P沟道,-30V,-4.2A,70mΩ@-10V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP3401LT1G
- 商品编号
- C81618
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 导通电阻（RDS(ON)） < 70mΩ（栅源电压（VGS） = -10V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 80mΩ（栅源电压（VGS） = -4.5V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 120mΩ（栅源电压（VGS） = -2.5V）
应用领域
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 产品材料符合RoHS要求且无卤
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