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CMP50N06T
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A 停产
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP50N06T
- 商品编号
- C6939739
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.721克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF |
商品概述
50N06T是一款超高密度N沟道MOSFET,可为同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷性能。
商品特性
- 50A、60V。在VGS = 10V时,RDS(ON)=0.016Ω
- 快速开关
- N沟道增强模式
- 低阈值驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-电源、DC-DC和DC-AC转换器-电机控制、音频放大器-大电流、高速开关-螺线管和继电器驱动器