SIHH21N65E-T1-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:20.3A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHH21N65E-T1-GE3
- 商品编号
- C6816675
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定值（UIS）
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)-反激式转换器-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费类产品-壁式适配器
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