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SIHH21N65E-T1-GE3实物图
  • SIHH21N65E-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHH21N65E-T1-GE3

1个N沟道 耐压:650V 电流:20.3A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHH21N65E-T1-GE3
商品编号
C6816675
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)12.8A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)156W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)99nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 完全无铅(Pb)器件
  • 低品质因数(FOM)Ron × Qg
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)
  • 采用开尔文连接,降低栅极噪声

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF