SIHG32N50D-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:30A
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- 描述
- 特性:优化设计。 低面积比导通电阻。 低输入电容 (Ciss)。 降低电容开关损耗。 高体二极管耐用性。 雪崩能量额定 (EAS)。应用:消费电子。 显示器(LCD或等离子电视)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG32N50D-E3
- 商品编号
- C6816660
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 优化设计
- 低面积比导通电阻
- 低输入电容(Ciss)
- 降低电容开关损耗
- 高体二极管耐用性
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 最佳效率和运行性能
- 低成本
- 简单的栅极驱动电路
- 低品质因数(FOM):Ron × Qg
- 快速开关
应用领域
- 消费电子
- 显示器(LCD或等离子电视)
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 工业领域
- 焊接、感应加热、电机驱动
- 电池充电器
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