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SIHG32N50D-E3实物图
  • SIHG32N50D-E3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHG32N50D-E3

1个N沟道 耐压:500V 电流:30A

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描述
特性:优化设计。 低面积比导通电阻。 低输入电容 (Ciss)。 降低电容开关损耗。 高体二极管耐用性。 雪崩能量额定 (EAS)。应用:消费电子。 显示器(LCD或等离子电视)
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHG32N50D-E3
商品编号
C6816660
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)390W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)96nC@10V
输入电容(Ciss)2.55nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

  • 优化设计
  • 低面积比导通电阻
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低电容开关损耗
  • 高体二极管耐用性
  • 雪崩能量额定值(UIS)
  • 最佳效率和运行性能
  • 低成本
  • 简单的栅极驱动电路
  • 低品质因数(FOM):Ron × Qg
  • 快速开关

应用领域

  • 消费电子
  • 显示器(LCD或等离子电视)
  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 工业领域
  • 焊接、感应加热、电机驱动
  • 电池充电器

数据手册PDF