- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOB288L
1个N沟道 耐压:80V 电流:10.5A 电流:46A
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOB288L
- 商品编号
- C6740829
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A；46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 93.5W；2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.871nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOT288L、AOB288L和AOTF288L采用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON)，栅源电压VGS为10V，漏极电流ID为3.2A时，小于75mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON)，栅源电压VGS为4.5V，漏极电流ID为2.0A时，小于90mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
- AOD5N40
- AOI442
- AOI4N60
- AOI7S65
- AMES15-15S277NZ-Q
- VD51S00C-AZB00-000
- AOC2012VAJC-19.4400C
- AMES15-48S277NZ-P
- AOCJY2-100.000MHZ-E
- AMES15-5S277NZ
- AOCJY3-100.000MHZ-E-SW
- VD51SW0C-AZD00-0
- AMES150-24SNZ-Q
- AOCJY4B-38.880MHZ-F
- AMES150-36S277NZ-P
- VD52S00C-00000-000
- AMES200-24SNZ-P
- AMES25-12S277NZ-P
- AMES25-3S277NZ
- AOJS25-24
- AMES25-3S277NZ-Q