- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.633nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW12N50和AOWF12N50采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反向传输电容(Crss),以及保证的雪崩能力,这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- AOWF11N60
- VGD1GHNC-G9C55-100
- VGD2AH0B-A9C48-100
- VGD2AH0C-G8CMP-300
- VGD2BC0B-AMC00-000
- VGD2GHHB-AACUV-100
- VGD2H0NB-00000-000
- AOZ18101DI-02
- VGD2S00B-AZC00-000
- VGD2UHHC-AACMF-100
- AOZ2151PQI-03
- VGD2UHNB-AAC00-000
- AOZ2261QI-15
- VGDAA60B-00000-000
- AOZ2263BQI-10
- VGDJBC0B-G8CUA-100
- AOZ2388QI
- AOZ52371QI
- VGS-100C-12-B
- VGS-100C-15-A
- AOZ5339QI