商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.633nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOT4S60、AOB4S60和AOTF4S60采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些产品具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
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