商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 304pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AOT2618L、AOB2618L和AOTF2618L采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低，导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。