商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 304pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AOD3N60和AOU3N60采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反向传输电容(Crss),并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。