商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 434pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 当VGS为10V、ID为18A时，RDS(ON)小于50mΩ
- 当VGS为4.5V、ID为15A时，RDS(ON)小于55mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物