商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 646pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOT29S50L、AOB29S50L、AOTF29S50L和AOTF29S50采用先进的αMOS高压工艺制造，旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并保证具有雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。