- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 646pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW11S65和AOWF11S65采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容电能(EOSS),并保证了雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- AMFW110-0.9NZ-105
- VDB2UJVC-B7C12-000
- VDB2UPPB-GAC3H-1A8
- AMFW24-1.25NZ-STD
- AMFW24-1.25NZ-STD-48
- AMFW24-1JZ-ST
- AMFW40-3JZ-ST
- VDBAB80B-00000-000
- AMFW72-0.69NZ-105
- AMFW72-0.69NZ-STD
- VDC1AR01-00000-000
- AMI-21A-12-1
- AMI-21A-12-3
- AMI-21A-20-3
- VDD1766B-00000-000
- AMI-21A-3-3
- VDD1A601-1DZ00-000
- AMI-21B-6-3
- VDD1A60B-AEC00-000
- AMI-22-6-3
- VDD1A60C-6KZ00-000