商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.645nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- AOW11S65
- AMFC47-3NZ-360
- AMFE305150-LN42-STD-48
- AMFW110-0.9NZ-105
- VDB2UJVC-B7C12-000
- VDB2UPPB-GAC3H-1A8
- AMFW24-1.25NZ-STD
- AMFW24-1.25NZ-STD-48
- AMFW24-1JZ-ST
- AMFW40-3JZ-ST
- VDBAB80B-00000-000
- AMFW72-0.69NZ-105
- AMFW72-0.69NZ-STD
- VDC1AR01-00000-000
- AMI-21A-12-1
- AMI-21A-12-3
- AMI-21A-20-3
- VDD1766B-00000-000
- AMI-21A-3-3
- VDD1A601-1DZ00-000
- AMI-21B-6-3


